氮化镓晶体是一种很有发展前景的材料
氮化镓(GaN)晶体是一种很有发展前景的材料,可用于研发下一代功率半导体设备。据外媒报道,日本国家材料科学研究所(NIMS)与东京工业大学(Tokyo Tech)研发了一种生长高质量GaN晶体的技术,与现有技术生长的GaN晶体相比,新技术制成的GaN晶体缺陷会少很多。
与直接在溶液中生长晶体的传统技术不同,新技术采用了一种涂有合金薄膜的基底,以防止溶液中不合乎需求的杂质被困到生长的晶体中。
用于下一代功率半导体设备中,以用于车辆和其他用途。不过,传统的GaN单晶体生长技术会将气态原材料喷到基底上,导致了一个主要的缺点:会在晶体内部形成很多原子大小的缺陷(包括位错)。当有位错缺陷的GaN晶体被集成至功率设备中时,会有泄漏的电流穿过该设备,从而损坏设备。
为了解决这一问题,研究人员研发出两种替代性晶体合成技术:氨热合成法以及钠助熔剂法。此两种方法都让晶体在含有晶体生长原材料的溶液中生长。虽然钠助熔剂生长法已被证实能够有效地防止位错的形成,但是会导致一个新问题:生长的晶体会含有杂质(溶液成分构成的团块)。
在日本科学家进行的项目中,研究人员制造了一种GaN晶体,同时成功地在GaN种子基底上涂上了由晶体生长原材料(如镓和钠)构成的液态合金,从而阻止了杂质被困在生长的晶体中。此外,科学家还发现,该技术能有效地减少位错的形成,从而合成高质量的晶体。该技术只需要一个简单的工艺,在大约1小时内就可以制成高质量的GaN基底。
日本科学家们研发的该项技术提供了一种新方法,用于为下一代功率半导体设备生产高质量GaN基底。目前,研究人员制作通过生长小尺寸的晶体来验证该技术的有效性,未来,他们计划将其发展成一种实用性技术,以合成更大的晶体。
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